リンテックグループは国立研究開発法人 産業技術総合研究所（産総研）・先端半導体研究センターとの量産化技術の共同研究により、先端半導体の微細回路形成に欠かせないEUV露光機用CNT（カーボンナノチューブ）製ペリクル（防塵材料）の第一次量産体制の構築を図るべく、研究開発を推進しています。このたび、露光機内部の環境に対してCNT製ペリクルの耐久性向上を実現する新規コーティング処方を確立しました。またペリクル外周部に厚みを持たせることで耐久性を向上させた“Dual-density”タイプのCNT製ペリクルを独自に開発して、その量産技術を確立しました。今月に米国・サンノゼで開催される国際会議SPIE Advanced Lithography + Patterningにおいて、詳細を発表します。

• ・名称： SPIE Advanced Lithography + Patterning
• ・会期： 2月22日（日）～26日（木）
• 　（注）上記技術の発表は2月25日（水）17時30分～19時 Hall 2（ポスター発表）および
  　　2月26日（木）8時20分～8時40分 Grand Ballroom 220A（口頭発表） (現地時間)
• ・場所： San Jose Convention Center (San Jose, California, United States)

当社では、自社で設計した水素プラズマエッチング装置を用いて、実際の露光機に近い条件でペリクルへの熱影響データを解析。ペリクルが300～400℃となる光源出力低中出力領域のスキャナー環境において生じる、装置内の水素プラズマに起因するペリクルのエッチングを防ぐ、無機コーティングの新規処方を確立し、大幅な耐久性向上を確認しました。

EUV露光機用ペリクルについて
先端半導体の微細回路形成には、EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）露光機が用いられていますが、露光機の性能向上に伴い、より高耐久のペリクルの開発が求められています。ペリクルとは、フォトマスク（回路パターンの原板）への異物の付着を防ぐ防塵膜の役割を果たす部材で、EUVに対する透過性や高い耐熱性、耐久性が要求されます。当社では、産総研・先端半導体研究センターとの共同研究により、その要求性能に応えるCNT製ペリクルの開発と量産化に取り組んでいます。

• ペリクルの量産化への取り組みについて

“Dual-density”タイプのCNT製ペリクルについて
レーザー照射による加熱下では、水素プラズマによるCNT製ペリクルのエッチング速度が室温から上昇し、特に300〜400℃付近で最大となることが分かっています。一方で、より高温域ではエッチングが急激に抑制され、900℃以上ではほとんど進行しないことが確認されています。当社では、この温度依存性を踏まえ、ペリクルのエッチングを抑えるための各種コーティング処方の開発を進めるとともに、将来的なEUV露光機光源の高出力化により、ペリクル外周部がエッチングの進行しやすい温度域に達する可能性を見据え、外周部に厚みを持たせることで耐久性を向上させた“Dual-density”タイプのCNT製ペリクルを独自に開発しました。

国立研究開発法人 産業技術総合研究所（産総研）について　

産総研は、経済および社会の発展に資する科学技術の研究開発などを総合的に行う日本最大級の公的研究機関であり、「社会課題の解決」と「我が国の産業競争力強化」をミッションとしています。全国12か所にある研究拠点において多岐にわたる研究開発を実施しており、傘下の株式会社AIST Solutionsと一体となった産総研グループとして、世界最高水準の成果の創出とその社会実装に力を入れています。
（以上、産総研のウェブサイトより抜粋）

• 産総研ウェブサイト

産総研・先端半導体研究センターについて

経済産業省の「半導体・デジタル産業戦略」（2021年6月公開、2023年6月改訂）において、半導体製造基盤をわが国に確保するとともに、次世代技術の確立や将来技術の研究開発を推進する方針が明記されています。産総研は、これまでも、「次世代コンピューティング基盤戦略」（2022年6月）を策定するとともに、戦略の目標実現に向けた研究開発を行ってきました。先端半導体研究センター（SFRC）は、これらの活動を加速し、わが国に先端半導体技術を確保することを目指します。また、研究開発、共用パイロットラインの構築、社会実装、人材育成を一貫して実施することで、先端半導体のオープンイノベーションを推進する中核拠点となることを目指します。
（以上、産総研・先端半導体研究センターのウェブサイトより抜粋）

• 先端半導体研究センターウェブサイト