ウェハ裏面に接触しない搬送プロセスを採用した表面保護テープ剥離装置「RAD-3020 series」

• 装置サイズ： 1,450mm（W）×2,100mm（D）×2,000mm（H）

真空環境下でのウェハ固定用テープの貼付を実現した真空マウンター「RAD-2512 series」

ウェハの切断（ダイシング）の前工程として、固定用テープによるリングフレームへのウェハマウントを真空環境下で行うウェハマウンターです。真空環境下でテープを貼付することで、ウェハ裏面の凹凸部分へのテープの密着度を高めることが可能で、TSVプロセス（注2）や、「TAIKOプロセス」にも最適です。また、ウェハ裏面に接触しない搬送プロセスを採用しており、裏面の汚染低減にも対応しています。

• 装置サイズ： 2,200mm（W）×3,100mm（D）×1,800mm（H）

• （注1）（株）ディスコの「TAIKOプロセス」
  ウェハを裏面研削する際、外周のエッジ部分を研削せずに、その内側だけ研削・薄型化するプロセス。薄型化されたウェハをハンドリングする際に、反りなどによる破損リスクを低減することができ、特にパワーデバイスなどの用途で、ウェハ裏面への回路形成にも対応可能です。ウェハ裏面の凹凸部分（外周部分や回路面）への対応、あるいは裏面の汚染低減などが不可欠になることから、周辺プロセス（装置）の対応が求められます。（http://www.disco.co.jp/jp/solution/library/taiko.htmlを参照）
• （注2）TSVプロセス
  半導体チップの内部に垂直に貫通する電極（Si貫通電極＝TSV：Through-Silicon Via）を形成するプロセス。複数のチップを積層する際に、従来ワイヤーボンディングで行っていたチップ間の配線を、この貫通電極で行うことができます。 ウェハ裏面に電極が突起し、また裏面の汚染低減などの観点からも、周辺プロセス（装置）の対応が求められます。