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ニュースリリース 半導体関連装置の新機種を開発LED光源を使用したUV照射装置「RAD-2100m/12」装置の消費電力を大幅に削減し、長寿命・省エネルギー化を実現 2012年07月31日

リンテックでは、UV硬化型テープ*1を用いたダイシング(ウェハ切断)工程用として、LED(発光ダイオード)ランプを使用することにより消費電力を大幅に削減したセミオートUV照射装置を新たに開発。「RAD-2100m/12」として8月1日から受注を開始することにしました。

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「RAD-2100m/12」

LEDランプを光源としたセミオートUV照射装置「RAD-2100m/12」

回路を形成したウェハを一つ一つのチップに切断した後、ウェハ固定用テープにUVを照射し、テープの粘着力を低下させてチップのピックアップを容易にする UV照射装置。リンテックでは今回新たに、LEDランプを使用することにより消費電力を大幅に削減したセミオートUV照射装置を開発。「RAD-2100m/12」として8月1日から受注を開始することにしました。

装置の消費電力を約70%*2カット。期待寿命7年以上を実現

「RAD- 2100m/12」は、ランプの即時点灯により待機電力を大幅に削減。消費電力も約70%カットします。さらに、ランプの交換頻度を低減し、メンテナンス性を向上。期待寿命7年以上を実現しています。また、水銀を使用しないという点からも、環境に配慮した製品設計といえます。

当社ではチップ製造の後工程にかかわる高付加価値テープと関連装置、さらにはこれらを生かした後加工・実装プロセス提案を行っています。LEDランプを半導体関連装置に採用するに当たっては、特にテープ特性などに応じた照度調整が難しく、「RAD-2100m/12」はテープのことを知り尽くした当社ならではの信頼性の高い装置です。今後さらに、従来の高圧水銀ランプを光源としたUV照射装置も含め、テープと装置の技術の融合によるシステムの最適化提案に注力していく考えです。

  • *1回路形成後のウェハをリングフレームに固定するための特殊粘着テープ。ウェハを一つ一つのチップに切断するダイシング工程では、強い粘着力で確実に保持し、切断後のピックアップ工程では、UVを照射することでテープの粘着力を低下させ、剥離を容易にすることができます。
  • *2数値については実測値であり、保証値ではありません。

製品概要

特徴

  • LEDランプを使用することにより消費電力を大幅に削減したセミオートUV照射装置です。
  • ランプの即時点灯により待機電力を大幅に削減。消費電力も約70%カットします。
  • ランプの交換頻度を低減し、メンテナンス性を向上。期待寿命7年以上を実現しています。また、水銀を使用しないという点からも、環境に配慮した製品設計といえます。

装置仕様

  • 装置サイズ: 1,110mm(W)×730mm(D)×1,049mm(H)
  • 対応ウェハサイズ: 200mm、300mm

販売開始日

  • 受注開始:2012年8月1日
  • 出荷開始:2012年9月3日

当初販売目標

5,000万円/年

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