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ニュースリリース 「SEMICON Japan 2010」出展製品【新製品】半導体関連装置の新機種を発売Si貫通電極や、パワーデバイスなどの製造に対応した新機種を開発 2010年11月25日

リンテックでは、回路形成後のウェハを薄型化する裏面研削プロセスの進化、あるいはSi貫通電極形成やウェハ両面への回路形成といった高機能チップ製造プロセスに対応した半導体関連装置を新たに開発し、2011年1月11日に本格発売することにいたしました。なお、同製品はこの12月1日から幕張メッセで開催される「SEMICON Japan 2010」に出展する予定です(当社ブース:4D-1001)。

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「RAD-3020 series」

ウェハ裏面に接触しない搬送プロセスを採用した
表面保護テープ剥離装置「RAD-3020 series」

ウェハ裏面研削プロセス用の表面(回路面)保護テープの剥離装置で、ウェハの外周部分を除いて裏面に接触しない搬送プロセスを採用した新機種です。(株)ディスコの「TAIKOプロセス」*1などのウェハ裏面への回路形成といったプロセスをはじめ、極めてハイレベルでのウェハ裏面の汚染低減に対応するため、今回新たに開発しました。
  • 装置サイズ: 1,450mm(W)×2,100mm(D)×2,000mm(H)
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「RAD-2512 series」

真空環境下でのウェハ固定用テープの貼付を実現した
真空マウンター「RAD-2512 series」

ウェハの切断(ダイシング)の前工程として、固定用テープによるリングフレームへのウェハマウントを真空環境下で行うウェハマウンターです。真空環境下でテープを貼付することで、ウェハ裏面の凹凸部分へのテープの密着度を高めることが可能で、TSVプロセス*2や、「TAIKOプロセス」にも最適です。また、ウェハ裏面に接触しない搬送プロセスを採用しており、裏面の汚染低減にも対応しています。

  • 装置サイズ: 2,200mm(W)×3,100mm(D)×1,800mm(H)
  • *1(株)ディスコの「TAIKOプロセス」
    ウェハを裏面研削する際、外周のエッジ部分を研削せずに、その内側だけ研削・薄型化するプロセス。薄型化されたウェハをハンドリングする際に、反りなどによる破損リスクを低減することができ、特にパワーデバイスなどの用途で、ウェハ裏面への回路形成にも対応可能です。ウェハ裏面の凹凸部分(外周部分や回路面)への対応、あるいは裏面の汚染低減などが不可欠になることから、周辺プロセス(装置)の対応が求められます。(http://www.disco.co.jp/jp/solution/library/taiko.htmlを参照)
  • *2TSVプロセス
    半導体チップの内部に垂直に貫通する電極(Si貫通電極=TSV:Through-Silicon Via)を形成するプロセス。複数のチップを積層する際に、従来ワイヤーボンディングで行っていたチップ間の配線を、この貫通電極で行うことができます。 ウェハ裏面に電極が突起し、また裏面の汚染低減などの観点からも、周辺プロセス(装置)の対応が求められます。

当初販売目標

5億円/年(2機種計)

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